RIC
Региональный информационный центр
научно-технологического сотрудничества с ЕС
 

Предложение о партнерстве для совместного участия в 7РП

Воронежский государственный технический университет - FP7-NMP-2009-EU-Russia: NMP-2009-1.2-3 (B) Беспроводные физические датчики на поверхностных акустических волнах для работы в широком диапазоне температур

Вернуться назад
Дата заполнения 05.12.2008
Название организации Воронежский государственный технический университет
Адрес организации 394026, Россия, г. Воронеж, Московский пр-т, д.14
Подразделение/отдел Кафедра полупроводниковой электроники и наноэлектроники
Контактное лицо Митрохин Виктор Иванович, д.ф-м.н., профессор
Телефон +7-4732-437695
Факс +7-4732-463277
E-Mail vstu-ppe@mail.ru
mitro4@yandex.ru
Сайт http://portal.vorstu.ru
http://www.vorstu.ac.ru/kafedrry/ftt/kaf/pp
Тип организации
  • Научно-исследовательская
  • Образовательная
Специальная программа
Тематическое направление
Нанонауки, нанотехнологии, новые материалы и производственные процессы (NMP)
Идентификационный номер конкурса
Номер(а) тем(ы) и название FP7-NMP-2009-EU-Russia: NMP-2009-1.2-3 (B) Беспроводные физические датчики на поверхностных акустических волнах для работы в широком диапазоне температур
Крайний срок подачи заявок -
Краткое описание Вашей организации ВГТУ образован 51 год назад как технический вуз с 7 факультетами, готовящий специалистов для разных областей промышленности (авиационной, радиотехнической, машиностроительной и т. д.) и имеющий тесные связи с предприятиями и НИИ. Кафедра ППЭ и НЭ физико-технического факультета существует 47 лет и готовит инженерные кадры для микроэлектронной промышленности, реализуя в производственных условиях собственные научные разработки в области проектирования и изготовления интегральных схем и фотоакустических полупроводниковых приборов. Творческий коллектив, состоящий из 3 докторов наук, 7 кандидатов наук, 8 инженеров, аспирантов и магистров, за 20 лет работы в области полупроводниковой электроники имеет 6 Патентов РФ на конструкцию, микроэлектронную технологию изготовления сенсорных структур полупроводниковых датчиков оптического излучения. Опубликовано более 100 статей в научных журналах и трудах Международных конференций. Разработаны и испытаны опытные образцы селективных фотопьезоэлектрических датчиков импульсного оптического излучения, основанных на поверхностных акустических волнах для диапазонов инфракрасного, видимого и ультрафиолетового диапазона.
Краткое описание предложения о партнерстве Авторы проекта предполагают использовать имеющийся опыт для проектирования и изготовления избирательных фотопьезоэлектрических датчиков оптического излучения на поверхностных акустических волнах для оптоэлектроники и оптической локации в диапазоне инфракрасных, видимых и ультрафиолетовых волн. Коллектив располагает современными методами микроэлектронной технологии изготовления интегрированных структур, а также оборудованием для анализа атомного состава, структуры, морфологии, электрофизических и оптических параметров образцов.
Ключевые слова Поверхностные акустические волны Фотоэлектрические явления в полупроводниках Фотопьезо-электрические датчики Барьерные структуры Технология производства датчиков
Публикации по теме 1. Mitrokhin V. I., Rembeza S.I., Sviridov V.V., Yaroslavtsev N.P. Acoustooptical Effect In GaAs with Deep Centers //Journal of Advanced Materials. – 2001. – № 2. – P. 98-103 2. Mitrokhin V. I., Rembeza S.I., Sviridov V.V., Yaroslavtsev N.P. Effect of Optical Radiation on Internal Friction in Piezoelectric Semiconductors with Deep Level Centers // Semiconductors. – Vol 36, – № 2. – 2002, – P. 130-135. 3. Митрохин В.И., Рембеза С. И. Ярославцев Н. П. Способ контроля дозы ионного легирования. Патент № 2204872, Россия, МПК Н01 L 21/66. Приоритет 04.10.2003. 4. Белоногов Е.К., Даринский Б.М., Ильин А.С., Митрохин В.И., Мошников В.А. Внутреннее трение в пленках на основе Si3N4 и CuSe // Известия РАН, сер. Физич. – 2005. – Т. 69 –№ 8. – С. 1168-1170. 5. Митрохин В.И., Рембеза С.И., Стукалов В.В. Помехоустойчивая передача дискретных сигналов от датчиков физических величин // Датчики и системы – 2005 – № 6. С. – 61-65. 6. Mitrokhin V. I., Rembeza S.I., Rudenko A.A. Ligh-Induced Mechanical Oscillation in CaAs Single Crystals // Technical Physics Letters, 2006.– vol. 32, No. 6, – pp. 479-480. 7. V.I.Mitrokhin, S.I.Rembeza, E.S.Rembeza, A.A.Rudenko «Inelastic relaxation in tin dioxide thin films”. - Solid State Phenomena. – V.115. – P. 275-278. – 2006. 8. Митрохин В.И., Рембеза С.И., Руденко А.А. Фотопьезоэффект в высокоомных монокристаллах арсенида галлия // Перспективные материалы. – 2006. – № 6. – С. 67-71. 9. Митрохин В.И., НиколаевО.В., Рембеза С.И., Кузеванов А.Л. Фоточувствительный фильтр на поверхностных акустических волнах Патент № 7393456 МПК H01 H 7/00 Приоритет 31.07.2008.
Описание предыдущего
и настоящего опыта участия
Вашей команды в европейских
или международных конкурсах/программах
-
Есть ли у вас опыт участия
в проектах Рамочных программ ЕС?
Нет