RIC
Региональный информационный центр
научно-технологического сотрудничества с ЕС
 

Предложение о партнерстве для совместного участия в 7РП

Воронежский государственный университет - Синхротронные исследования нанокомпозитных структур, включая тонкопленочные, на основе кремния и его соединений

Вернуться назад
Дата заполнения 27.11.2007
Название организации Воронежский государственный университет
Адрес организации Россия, 394006, Воронеж, Университетская пл., 1
Подразделение/отдел Кафедра физики твердого тела и наноструктур
Контактное лицо Турищев Сергей Юрьевич, к.ф.-м.н.
Телефон +7-4732-208363; 406653
Факс +7-4732-208363
E-Mail ftt@phys.vsu.ru
Сайт http://www.vsu.ru
Тип организации
  • Научно-исследовательская
  • Образовательная
Специальная программа
Тематическое направление
Нанонауки, нанотехнологии, новые материалы и производственные процессы (NMP)
Идентификационный номер конкурса
Номер(а) тем(ы) и название Синхротронные исследования нанокомпозитных структур, включая тонкопленочные, на основе кремния и его соединений
Крайний срок подачи заявок -
Краткое описание Вашей организации -
Краткое описание предложения о партнерстве Кремниевые наноструктуры вызывают повышенный интерес по ряду причин. Кремний является основным материалом микроэлектроники и нанотехнологий. С другой стороны, очевидно неуклонное сокращение размеров приборных элементов с неизбежным вхождением в нанометровый диапазон. Способность кремниевых нанообъектов излучать интенсивный видимый свет открывает перспективу создания кремниевых интегральных схем с электрической и оптической обработкой информации. Перспективные материалы, содержащие наноразмерные кремниевые структуры, представляют достаточно сложные объекты для исследований. Их структура и свойства находятся в сильной зависимости от технологии получения. Поэтому представляет интерес изучение их электронного строения в зависимости от условий формирования и полученных размерных параметров при помощи неразрушающих методов, позволяющих получать прямые данные о взаимосвязи локальной атомной структуры и энергетического спектра электронов. В данном проекте это ультрамягкая рентгеновская спектроскопия и фотоэлектронная спектроскопия. Задача исследования - получение экспериментальных данных об электронном строении наноразмерных и тонкопленочных структур на основе кремния и его соединений в зависимости от технологии их получения. Цель проекта - установление влияния особенностей технологии на электронное строение, размерные эффекты и свойства изучаемых структур. В рамках сотрудничества на национальном уровне может быть использовано технологическое и аналитическое оборудование таких крупных научных центров России как Научно-исследовательский институт физики (Нижний Новгород), Институт физики полупроводников (Новосибирск), Воронежский, Новосибирский и Нижегородский государственные университеты. Использование синхротронных источников излучения (например: BESSY II, Берлин, Германия и SRC, Мэдисон, США), на которых автор проекта регулярно проводит исследования с 2002 года продиктовано, прежде всего, высокой интенсивностью излучения и самым современным аналитическим оборудованием, что позволяет получить наиболее точные и достоверные данные.
Ожидаемые результаты: - Новые экспериментальные данные по электронному строению исследуемых структур, полученные методами ультрамягкой рентгеновской спектроскопии с использованием синхротронного излучения и лабораторного оборудования (спектроскопия ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения дает информацию о структуре зоны проводимости, ультрамягкая рентгеновская эмиссионная спектроскопия дает информацию о структуре валентной зоны) - Данные об энергиях связи остовных уровней и эффективных зарядовых состояниях полученные методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии с использованием синхротронного излучения. - Фазовый анализ состава поверхностных слоев ряда исследуемых объектов. - Анализ влияния размерных факторов на электронно-энергетический спектр исследуемых структур; - Зависимости свойств проявляемых исследуемыми наноструктурами на основе кремния и его соединений, от электронно-энергетического спектра, его особенностей и фазового состава. - Анализ и зависимости влияния технологических режимов получения структур с кремниевыми наночастицами на электронно-энергетический спектр, его особенности и на фазовый состав. Научное и практическое значение полученных результатов на основе установленных свойств, закономерностей и особенностей электронно-энергетического спектра и фазового состава исследуемых структур обладающих рядом новых уникальных свойств, открывает научные основы для создания нанотехнологий формирования структур с уникальными оптическими свойствами. Полученные результаты могут быть использованы при разработке и последующей отработке технологических направлений по созданию квантово-размерных структур с заданными свойствами, что необходимо при создании на основе кремния микро- нано- и оптоэлектронных устройств принципиально нового характера, таких как например, кремниевые излучающие устройства. Результаты исследования могут быть использованы в организациях, занимающихся разработкой технологий получения наноразмерных полупроводниковых структур, исследованием их свойств, а также занимающихся исследованиями электронного строения твердых тел и их поверхности.
Ключевые слова синхротронные исследования, наноструктуры, тонкие пленки, кремний, электронное строение, спектроскопия, нанотехнологии
Публикации по теме 1. X-ray spectroscopy investigation of the porous silicon phase composition under high temperature annealing / E.P. Domashevskaya, V.M, Kashkarov, E.Yu. Manukovskii, V.A. Terekhov, S.Yu. Turishchev // Condensed matter and interface boundaries (Condensirovanniye sredy i mezhfazniye granitsy). – 2000. – V.1, N1. – P. 37 – 44. 2. USXES and optical phenomena in Si low-dimensional structures dependent on morphology and silicon oxide composition on Si surface / T.V. Torchynska, M. Morales Rodrigues, G.P. Polupan, L.I. Khomenkova, N.E. Korsunskaya, V.P. Papusha, L.V. Scherbina, E.P. Domashevskaya, V.A. Terekhov, S. Yu. Turishchev // Surface Review and Letters. – 2002. – V.9, №2. – Р. 1047 – 1052. 3. Synchrotron investigation of the specific features in the electron energy spectrum of silicon nanostructures / E.P. Domashevskaya, V.A. Terekhov, V.M. Kashkarov, E.Yu. Manukovskii, S.Yu. Turishchev, S.L. Molodtsov, D.V. Vyalikh, A.F. Khokhlov, A.I. Mashin, V.G. Shengurov, S.P. Svetlov and V.Yu. Chalkov // Physics of the solid state. – 2004. – V. 46, N.2. – P. 345 – 350. 4. A study of electronic and atomic structures in a-SixC1-x amorphous alloys using ultrasoft X-ray emission spectroscopy / V.A. Terekhov, E.I. Terukov, I.N. Trapeznikova, V.M. Kashkarov, O.V. Kurilo, S.Yu. Turishchev, A.B. Golodenko, E.P. Domashevskaya // Semiconductors. – 2005. – V. 39, N.7. – P. 830 – 834. 5. Synchrotron Investigations of the Electron Structure of Silicon Nanocrystals in a SiO2 Matrix / V. A. Terekhov, S. Yu. Turishchev, V. M. Kashkarov, E. P. Domashevskaya, A. N. Mikhailov, D.I. Tetel\\\'baum. // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. – 2007. – V.1, N1. – Р. 55 – 59. 6. XANES and USXES investigations of interatomic interaction at the grain boundaries in nanocomposites (Co41Fe39B20)x(SiO2)1−x / E.P. Domashevskaya, S.A. Storozhilov, S.Yu Turishchev, V.M. Kashkarov, V.A. Terekhov, O.V. Stognej, Yu E. Kalinin, S.L. Molodtsov // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. – 2007. – 156 – 158, – P. 180 – 185. 7. Investigations of the electron energy structure and phase composition of porous silicon with different porosity / S.Yu. Turishchev, V.A. Terekhov, V.M. Kashkarov, E.P. Domashevskaya, S.L. Molodtsov, D.V. Vyalykh // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. – 2007. – 156 – 158, – P. 445 – 451. 8. Silicon nanocrystals in SiO2 matrix obtained by ion implantation under cyclic dose accumulation / V.A. Terekhov, S.Yu. Turishchev, V.M. Kashkarov, E.P. Domashevskaya, A.N. Mikhailov, D.I. Tetel’baum // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures – 2007. – 38, – P. 16 – 20. 9. Investigations of Interatomic Interactions in (CoFeZr)x(SiO2)l-x Nanocomposites / E.P. Domashevskaya, S.A. Storozhilov, S.Yu. Turishchev, V.M. Kashkarov, V.A. Terekhov, O.V. Stognej, Yu.E. Kalinin, A.V. Sitnikov and S.L. Molodtsov // Electromagnetic Materials, Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies ICMAT 2007 (Symposium P) Suntec, Singapore 1 - 6 July, 2007: Singapore, 2007, – P. 173 – 179. 10. Structure and optical properties of silicon nanopowders / V.A. Terekhov, V.M. Kashkarov, S.Yu. Turishchev, K.N. Pankov, V.A. Volodin, M.D. Efremov, D.V. Marin, A.G. Cherkov, S.V. Goryainov, A.I. Korchagin, V.V. Cherepkov, A.V. Lavrukhin, S.N. Fadeev, R.A. Salimov, S.P. Bardakhanov // Material science and engineering, accepted manuscript – article in press; published online: http://dx.doi.org/10.1016/j.mseb.2007.08.014 (DOI:10.1016/j.mseb.2007.08.014).
Описание предыдущего
и настоящего опыта участия
Вашей команды в европейских
или международных конкурсах/программах
-
Есть ли у вас опыт участия
в проектах Рамочных программ ЕС?
Нет