RIC
Региональный информационный центр
научно-технологического сотрудничества с ЕС
 

Предложение о партнерстве для совместного участия в 7РП

Воронежский государственный университет - Спонтанное атомное упорядочение в эпитаксиальных сложных полупроводниковых твердых растворах и многослойных гетероструктурах под воздействием внутренних напряжений как шаг к термодинамически стабильной структуре

Вернуться назад
Дата заполнения 27.11.2007
Название организации Воронежский государственный университет
Адрес организации Россия, 394006, Воронеж, Университетская пл., 1
Подразделение/отдел Кафедра физики твердого тела и наноструктур
Контактное лицо Середин Павел Владимирович, к.ф.-м.н.
Телефон +7-4732-208363
Факс +7-4732-208363
E-Mail paul@phys.vsu.ru
Сайт http://www.vsu.ru
Тип организации
  • Научно-исследовательская
  • Образовательная
Специальная программа
Тематическое направление
Нанонауки, нанотехнологии, новые материалы и производственные процессы (NMP)
Идентификационный номер конкурса
Номер(а) тем(ы) и название Спонтанное атомное упорядочение в эпитаксиальных сложных полупроводниковых твердых растворах и многослойных гетероструктурах под воздействием внутренних напряжений как шаг к термодинамически стабильной структуре
Крайний срок подачи заявок -
Краткое описание Вашей организации -
Краткое описание предложения о партнерстве Целью данного проекта предполагается изучение рядом экспериментальных (в том числе с использованием синхротронного излучения) и расчетных методов явлений упорядоченного расположение атомов соответствующих возникновению термодинамически стабильной структуры в напряженных эпитаксиальных слоях тройных и четверных систем полупроводниковых твердых растворов. Актуальность проблемы упорядочения связана с модификацией фундаментальных свойств полупроводников при переходе к наносистемам, обусловленной понижением симметрии сфалеритной структуры соединений А3В5 в нанослоях, следствием которого является возможное уменьшение ширины запрещенной зоны, переход от непрямозонного к прямозонному полупроводнику, инверсному порядку следования зон, усложнению рентгеновских спектров поглощения и инфракрасных (ИК) спектров сверхструктурных фаз в результате снятия вырождения с состояний, соответствующих потолку валентной зоны и дну зоны проводимости. Ожидается, что в ходе выполнения проекта будет показано, что атомные конфигурации возникающих в наносистемах полупроводниковых твердых растворов сверхструктурных фаз минимизируют энергию механических напряжений, возникающих из-за несоответствия параметров решеток между составляющими твердый раствор соединениями, тогда как случайное расположение атомов не дает такой минимизации.
Ожидаемые результаты: За время выполнения проекта ожидается получить следующие научные результаты: - будут определены оптимальные термодинамические и кинетические параметры получения сверхструктурных фаз в эпитаксиальных нанослоях различных сложных полупроводниковых твердых растворах; - исследовано влияние ростовых параметров (температура роста, скорость роста, соотношение концентраций элементов третьей и пятой групп) на формирование сверхструктурных фаз в эпитаксиальных нанослоях; - исследовано влияние кристаллической ориентации подложки на особенности формирования сверхструктурных фаз в эпитаксиальных нанослоях; - исследовано влияние дифференциации состава (в области половинного состава) на содержание сверхструктурных фаз в нанослоях; - исследованы фотолюминесцентные свойства наносистем, содержащих сверструктурные фазы; - идентифицированы сверхструктурные фазы рентгенографическими методами и методами зондовой микроскопии; - проведено прецизионное измерение параметров сверхструктурных фаз методом рентгенографии и методом дифрактометрии; - определена наноструктура исследуемых объектов и выявлены особенности наноморфологии областей упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах с использованием атомно-силового микроскопа. - определен порядок следования зон и особенности в распределении плотности состояний сверхструктурных фаз на основе данных о тонкой структуре краев рентгеновского поглощения (зона проводимости) и данных фотоэлектронной спектроскопии (валентная зона), определены ширины запрещенных зон новых сверхструктурных фаз; - разработаны новые типы гетероструктур и устройств с использованием доменной структуры фаз упорядочения. - проведены расчеты относительных энергии упругих механических напряжений кристаллической решетки формирующих упорядоченные атомные фрагменты, т.е. сверхструктурные фазы
Ключевые слова Полупроводники Гетероструктуры Самоупорядочение Квантовые точки AlGaN GaN GaInAsP GaInP AlGaAs
Публикации по теме 1. E. P. Domashevskaya, P. V. Seredin at al. Vegard’s law and superstructural phases in AlxGa1−xAs/GaAs(100) epitaxial heterostructures. // Semiconductors. Volume 39, Number 3 2005 2. E. P. Domashevskaya, P. V. Seredin at al. XRD, AFM and IR investigations of ordered AlGaAs2 phase in epitaxial AlxGa1-xAs/GaAs (100) heterostructures// Surface and Interface Analysis Volume 38, Issue 4 , Pages 828 - 832 3. E. P. Domashevskaya, P. V. Seredin at al. Infrared reflectance spectra and morphologic features of the surface of epitaxial AlxGa1−xAs/GaAs(100) heterostructures with the ordered AlGaAs2 phase //Semiconductors. Volume 40, Number 4 2006 4. P. V. Seredin, E. P. Domashevskaya at al. IR-spectra multilayered epitaxial heterostructures with embedded layers In As and GaAs// Semiconductors. accepted manuscript – article in press, 2008. 5. E. P. Domashevskaya, P. V. Seredin at al. Scaled nano- and a microrelief of fields of streamlining in epitaxial heterostructures AlxGa1-xAs/GaAs (100)// Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques., accepted manuscript – article in press, N2, 2008 6. E. P. Domashevskaya, P. V. Seredin at al. Investigations of porous InP properties by XRD, IR, USXES, XANES and PL techniques//Material Science and Engineering B, accepted manuscript – article in press; published online: http://dx.doi.org/10.1016/j.mseb.2007.08. 029 (DOI:10.1016/j.mseb.2007.08.029).
Описание предыдущего
и настоящего опыта участия
Вашей команды в европейских
или международных конкурсах/программах
-
Есть ли у вас опыт участия
в проектах Рамочных программ ЕС?
Нет