RIC
Региональный информационный центр
научно-технологического сотрудничества с ЕС
 

Предложение о партнерстве для совместного участия в 7РП

Воронежский государственный университет - Атомное и электронное строение наносистем

Вернуться назад
Дата заполнения 05.12.2007
Название организации Воронежский государственный университет
Адрес организации Россия, 394006, Воронеж, Университетская пл., 1
Подразделение/отдел Кафедра физики твердого тела и наноструктур, Физический факультет
Контактное лицо Домашевская Эвелина Павловна, доктор физико-математических наук, профессор
Телефон +7-4732-208363
Факс +7-4732-208363
E-Mail ftt@phys.vsu.ru
Сайт http://www.vsu.ru
Тип организации
  • Научно-исследовательская
  • Образовательная
Специальная программа
Тематическое направление
Нанонауки, нанотехнологии, новые материалы и производственные процессы (NMP)
Идентификационный номер конкурса
Номер(а) тем(ы) и название Атомное и электронное строение наносистем
Крайний срок подачи заявок -
Краткое описание Вашей организации -
Краткое описание предложения о партнерстве Цель проекта: Получение данных об электронно-энергетическом спектре состояний в валентной зоне и зоне проводимости, выявление его особенностей при переходе к наноразмерным структурам с квантовыми ямами, квантовыми нитями, квантовыми точками и нанокомпозитам, методами рентгеновской и электронной спектроскопии, в том числе, с использованием синхротронного излучения. Определение различных энергетических состояний атомов в квантовых точках, нанокластерах и нанокомпозитах для объяснения нелинейных электрофизических, магнитных и оптических свойств в связи с размерными эффектами. Моделирование электронно-энергетического спектра и спектральных характеристик наносистем. Задачи: - обнаружение субструктурных и квантово-размерных эффектов в наноструктурах и нанокомпозитах; - идентификация энергетических уровней, обусловленных субструктурными и квантоворазмерными эффектами; - обнаружение влияния кулоновской блокады и одноэлектронного туннелирования на нелинейные электрофизические свойства; - определение влияния плотности локализованных состояний на нелинейные электрофизические и магнитные свойства в нанокомпозитах. Методы решения задачи: - ультрамягкая рентгеновская эмиссионная спектроскопия (УМРЭС) – электронное строение валентной зоны; - спектроскопия ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения (XANES) – электронное строение зоны проводимости; - рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС) – энергии связи остовных уровней и эффективные зарядовые состояния атомов; - инфракрасная (ИК) спектроскопия и фотолюминесценция (ФЛ) – локализованные состояния в запрещённой зоне, особенности их распределения; - методы компьютерного моделирования. В рамках сотрудничества на национальном уровне предусмотрено использование технологического и аналитического оборудование крупнейших академических научных центров и государственных университетов России. Использование синхротронных источников излучения (например: BESSY II, Берлин, Германия), на которых под руководством автора проекта регулярно проводятся исследования с 2001 года продиктовано высокой интенсивностью излучения и точностью данных.
Ожидаемые результаты: - Новые экспериментальные данные по электронному строению исследуемых систем, полученные методами ультрамягкой рентгеновской спектроскопии с использованием синхротронного излучения и лабораторного оборудования (спектроскопия ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения дает информацию о структуре зоны проводимости, ультрамягкая рентгеновская эмиссионная спектроскопия дает информацию о структуре валентной зоны) - Данные об энергиях связи остовных уровней и эффективных зарядовых состояниях полученные методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии с использованием синхротронного излучения. - Фазовый анализ состава поверхностных слоев ряда исследуемых объектов. - Анализ влияния размерных факторов на электронно-энергетический спектр исследуемых структур; - Зависимости свойств проявляемых исследуемыми наноструктурами, от электронно-энергетического спектра, его особенностей и фазового состава. - Анализ и зависимости влияния технологических режимов получения структур содержащих наноразмерные объекты на электронно-энергетический спектр, его особенности и на фазовый состав. Научное и практическое значение полученных результатов на основе установленных свойств, закономерностей и особенностей электронно-энергетического спектра и фазового состава исследуемых структур обладающих рядом новых уникальных свойств, открывает научные основы для создания нанотехнологий формирования структур с уникальными свойствами. Полученные результаты могут быть использованы при разработке и последующей отработке технологических направлений по созданию квантово-размерных структур с заданными свойствами, что необходимо при создании микро- нано- и оптоэлектронных устройств принципиально нового характера. Результаты исследования могут быть использованы в организациях, занимающихся разработкой технологий получения наноразмерных полупроводниковых структур, исследованием их свойств, а также занимающихся исследованиями электронного строения твердых тел и их поверхности.
Ключевые слова атомное и электронное строение, наносистемы, нанотехнологии, синхротронные исследования, рентгеновская спектроскопия
Публикации по теме
  • XPS, USXS and PLS investigations of porous silicon / E.P. Domashevskaya, V.M. Kashkarov, E.Yu. Manukovskii, A.V. Shchukarev, V.A. Terekhov. // J.Electron.Spectr.and Rel. Phen.-1998.-v.88-91. -p.969-972.
  • Determination of the phase composition of the surface layers in porous silicon using ultrasoft X-ray emission spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy techniques / V.M. Kashkarov, E.Yu. Manukovskii, A.V. Shchukarev, E.P. Domashevskaya // J. Electron Spectr. and Rel. Phen. – 2001. – V. 114-116. – P. 895 – 900.
  • USXES and optical phenomena in Si low-dimensional structures dependent on morphology and silicon oxide composition on Si surface / T.V. Torchynska, M. Morales Rodrigues, G.P. Polupan, L.I. Khomenkova, N.E. Korsunskaya, V.P. Papusha, L.V. Scherbina, E.P. Domashevskaya, V.A. Terekhov, S. Yu. Turishchev // Surface Review and Letters. – 2002. – V.9, №2. – Р. 1047 – 1052.
  • Synchrotron investigation of an electron energy spectrum in III-V-based nanostructures / E.P. Domashevskaya, V.A. Terekhov, V.M. Kashkarov, S.Yu. Turishchev, S.L. Molodtsov, D.V. Vyalikh, D.A. Vinokurov, V.P. Ulin, M.V. Shishkov, I.N. Arsent`ev, I.S. Tarasov, Zh. I. Alferov // Semiconductors. – 2003. – V.37, N8. – P. 992-997.
  • Synchrotron investigation of the specific features in the electron energy spectrum of silicon nanostructures / E.P. Domashevskaya, V.A. Terekhov, V.M. Kashkarov, E.Yu. Manukovskii, S.Yu. Turishchev, S.L. Molodtsov, D.V. Vyalikh, A.F. Khokhlov, A.I. Mashin, V.G. Shengurov, S.P. Svetlov and V.Yu. Chalkov // Physics of the solid state. – 2004. – V. 46, N.2. – P. 345 – 350.
  • A study of electronic and atomic structures in a-SixC1-x amorphous alloys using ultrasoft X-ray emission spectroscopy / V.A. Terekhov, E.I. Terukov, I.N. Trapeznikova, V.M. Kashkarov, O.V. Kurilo, S.Yu. Turishchev, A.B. Golodenko, E.P. Domashevskaya // Semiconductors. – 2005. – V. 39, N.7. – P. 830 – 834.
  • TEM and XANES investigations and optical properties of SnO nanolayers / E.P. Domashevskaya, O.A. Chuvenkova, V.M. Kashkarov, S.B. Kushev, S.V. Ryabtsev, S.Yu. Turishchev, Yu.A. Yurakov // Surface and Interface Analysis. – 2006. – 38, – P. 514 – 517.
  • Synchrotron Investigations of the Electron Structure of Silicon Nanocrystals in a SiO2 Matrix / V. A. Terekhov, S. Yu. Turishchev, V. M. Kashkarov, E. P. Domashevskaya, A. N. Mikhailov, D.I. Tetel\'baum. // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. – 2007. – V.1, N1. – Р. 55 – 59.
  • XANES and USXES investigations of interatomic interaction at the grain boundaries in nanocomposites (Co41Fe39B20)x(SiO2)1−x / E.P. Domashevskaya, S.A. Storozhilov, S.Yu Turishchev, V.M. Kashkarov, V.A. Terekhov, O.V. Stognej, Yu E. Kalinin, S.L. Molodtsov // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. – 2007. – 156 – 158, – P. 180 – 185.
  • Synchrotron investigations of the initial stage of tin nanolayers oxidation / E.P. Domashevskaya, Yu.A. Yurakov, S.V. Ryabtsev, O.A. Chuvenkova, V.M. Kashkarov, S.Yu. Turishchev // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. – 2007. – 156 – 158, – P. 340 – 343.
  • Investigations of the electron energy structure and phase composition of porous silicon with different porosity / S.Yu. Turishchev, V.A. Terekhov, V.M. Kashkarov, E.P. Domashevskaya, S.L. Molodtsov, D.V. Vyalykh // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. – 2007. – 156 – 158, – P. 445 – 451.
  • SnOx obtaining by thermal oxidation of nanoscale tin films in the air and its characterization / E.P. Domashevskaya, S.V. Ryabtsev, Yu.A. Yurakov, O.A. Chuvenkova, V.M. Kashkarov, S.Yu. Turishchev, S.B. Kushev, A.N. Lukin // Thin Solid Films – 2007. – 515, – P. 6350 – 6355.
  • Silicon nanocrystals in SiO2 matrix obtained by ion implantation under cyclic dose accumulation / V.A. Terekhov, S.Yu. Turishchev, V.M. Kashkarov, E.P. Domashevskaya, A.N. Mikhailov, D.I. Tetel’baum // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures – 2007. – 38, – P. 16 – 20.
  • Investigations of Interatomic Interactions in (CoFeZr)x(SiO2)l-x Nanocomposites / E.P. Domashevskaya, S.A. Storozhilov, S.Yu. Turishchev, V.M. Kashkarov, V.A. Terekhov, O.V. Stognej, Yu.E. Kalinin, A.V. Sitnikov and S.L. Molodtsov // Electromagnetic Materials, Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies ICMAT 2007 (Symposium P) Suntec, Singapore 1 - 6 July, 2007: Singapore, 2007, – P. 173 – 179.
  • Electron structure investigations of InGaP/GaAs(100) heterostructures with InP quantum dots / E. P. Domashevskaya; V. A. Terekhov; V. M. Kashkarov; S. Yu. Turishchev; S. L. Molodtsov; D. V. Vyalikh; I. N. Arsentyev; I. S. Tarasov; D. A. Vinokurov; A. L. Stankevich // International Journal of Nanoscience – 2007. – V.6, Issue 3/4. – Р. 215 – 219.
Описание предыдущего
и настоящего опыта участия
Вашей команды в европейских
или международных конкурсах/программах
-
Есть ли у вас опыт участия
в проектах Рамочных программ ЕС?
Нет