RIC
Региональный информационный центр
научно-технологического сотрудничества с ЕС
 

Предложение о партнерстве для совместного участия в 7РП

Институт физики микроструктур Российской Академии Наук - ICT-2007.3.1: Next-Generation Nanoelectronics Components and Electronics Integration; ICT-2007.3.2: Organic and large-area electronics, visualisation and display systems; ICT-2007.3.5: Photonic components and subsystems; ICT-2007.3.6: Micro/nanosystems; ICT-2007.8.1: FET proactive 1: Nano-scale ICT devices and systems; ICT-2007.8.0: FET Open scheme

Вернуться назад
Дата заполнения 18.06.2008
Название организации Институт физики микроструктур Российской Академии Наук
Адрес организации Нижний Новгород ГСП-105, 603950, РФ
Подразделение/отдел Отдел технологии наноструктур и приборов
Контактное лицо Шашкин Владимир Иванович, кандидат физико-математических наук, ведущий научный сотрудник, зав. отделом
Телефон +7-831-4385536
Факс +7-831-4385553
E-Mail sha@ipm.sci-nnov.ru
Сайт http://ipm.sci-nnov.ru/structure/subdivision/140
Тип организации
  • Научно-исследовательская
Специальная программа
Тематическое направление
Информационные и коммуникационные технологии (ICT)
Идентификационный номер конкурса
FP7-ICT-2007-C
Номер(а) тем(ы) и название ICT-2007.3.1: Next-Generation Nanoelectronics Components and Electronics Integration; ICT-2007.3.2: Organic and large-area electronics, visualisation and display systems; ICT-2007.3.5: Photonic components and subsystems; ICT-2007.3.6: Micro/nanosystems; ICT-2007.8.1: FET proactive 1: Nano-scale ICT devices and systems; ICT-2007.8.0: FET Open scheme
Крайний срок подачи заявок
Краткое описание Вашей организации Department consists of about 20 scientists and technologists fully engaged in R&D activity in the field of semiconductor physics. The group has closely tied internal structure and possesses a wide range of analytical equipment (including that provided by Center of Collective Access at IPM RAS). This enables both academic (experimental and theory) and device-oriented studies on the “designed-made-measured” basis. As materials, III-V, metals and large molecules, as well as heterostructures based on them, are mainly dealt with. As phenomena, optical, electro-optical and photonic properties of these materials are under consideration, as well as MEMS. Long-term experience in various characterization techniques determines high yield of comprehensive information on samples fabricated within the IPM RAS or supplied by other labs. The group is open for collaboration with industrial bodies and academia.
Краткое описание предложения о партнерстве -
Ключевые слова МОГФЭ III-V Гетеро-структуры Диагностика Гибридные устройства
Публикации по теме
  • Фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками при комнатной температуре в диапазоне 1-2.6 µm // Письма в ЖТФ, т.34, в.1, с.3-9 (2008) М.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, Л.Д. Молдавская, В.И. Шашкин
  • Сэндвич-структура InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприёмников // ФТП, т.42, в.1, с.101-105 (2008) Л.Д. Молдавская, Н.В. Востоков, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, В.И. Шашкин
  • Дробовый шум диодов Шоттки с пониженной высотой барьера // Радиотехника и электроника, т.53, №2, с.250-254 (2008) Н.В. Алкеев, С.В. Аверин, А.А. Дорофеев, В. И. Шашкин
  • Фотолюминесценция с длиной волны до 1.6 мкм в квантовых точках с увеличенной эффективной толщиной слоя InAs // ФТП, т.42, в.3, с.303-310 (2008) М.Н. Дроздов, Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, Л.Д. Молдавская, А.В. Мурель, В.И. Шашкин
  • Вольт-амперная характеристика контакта металл-полупроводник с барьером Мотта // ФТТ, т.50, в.3, с.519-522 (2008) В.И. Шашкин, А.В. Мурель
  • Диагностика низкобарьерных диодов Шоттки с приповерхностным δ-легированием // ФТП, т.42, в.4, с.500-502 (2008) В.И. Шашкин, А.В. Мурель
  • Адмитанс и нелинейная емкость многослойной структуры металл-полупроводник // ФТП, т.42, в.7, с.799-803 (2008) Н.В. Востоков, В.И. Шашкин
  • Оптический мониторинг параметров технологических процессов в условиях металлорганической газофазной эпитаксии // Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, №8, с.1-6 (2008) П.В. Волков, А.В. Горюнов, В.М. Данильцев, А.Ю. Лукьянов, Д.А. Пряхин, А.Д. Тертышник, О И. Хрыкин, В.И. Шашкин
  • Добротность LC-контуров мегагерцового диапазона на основе тонких пленок высокотемпературного сверхпроводника Y-Ba-Cu-O // ЖТФ, 2008, том 78, выпуск 5, стр. 99-102 Д.В.Мастеров, С.А.Павлов, А.Е.Парафин
  • Влияние циклических отжигов на статические и высокочастотные характеристики структур на основе пленок Y-Ba-Cu-O // Письма ЖТФ, 2008, том 34, выпуск 9, стр. 49-54 Д.В.Мастеров, С.А.Павлов, А.Е.Парафин
  • G. L. Pakhomov “Magnetron sputtered vs. thermally evaporated gold contacts in phthalocyanine-based thin film devices” Microelectronics Journal, V. 38, In Press, Corrected Proof, Available online 22 May 2008
  • G. L. Pakhomov, E. S. Leonov, A. Yu. Klimov “Rectification and NIR photoresponse in p-Si/phthalocyanine/metal heterostructures” Microelectronics Journal, Volume 38, Iss. 6-7 (2007) 682-685
  • G. L. Pakhomov, D. A. Kosterin, L. G. Pakhom, T.-F. Guo “Doping of phthalocyanine films: structural reorganization vs. acceptor effect” Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Vol. 19, No. 6 (2008) 500-504
Описание предыдущего
и настоящего опыта участия
Вашей команды в европейских
или международных конкурсах/программах
-
Есть ли у вас опыт участия
в проектах Рамочных программ ЕС?
Нет