RIC
Региональный информационный центр
научно-технологического сотрудничества с ЕС
 

Предложение о партнерстве для совместного участия в 7РП

Воронежский государственный технический университет (ВГТУ) - NMP.2011.1.4-2: Разработка техники выявления и контроля нарушений на нано уровне для подложек больших размеров; NMP.2011.2.2-3: Материалы для твердотельного освещения

Вернуться назад
Дата заполнения 12.09.2010
Название организации Воронежский государственный технический университет (ВГТУ)
Адрес организации Россия, 394026, г. Воронеж, Московский пр-т, 14
Подразделение/отдел Кафедра полупроводниковой электроники и наноэлектроники (ППЭ и НЭ)
Контактное лицо Митрохин Виктор Иванович, профессор кафедры полупроводниковой электроники и наноэлектроники, д.ф.-м.н., профессор
Телефон +7-4732-437695
Факс +7-4732-463277
E-Mail vstu-ppe@mail.ru,mitro4@yandex.ru
Сайт http://portal.vorstu.ru
http://,
http://www.vorstu.ac.ru/kafedrry/ftt/kaf/pp
Тип организации
  • Образовательная
Специальная программа
Тематическое направление
Нанонауки, нанотехнологии, новые материалы и производственные процессы (NMP)
Идентификационный номер конкурса
FP7-NMP-2011-LARGE-5
FP7-NMP-2011-SMALL-5
Номер(а) тем(ы) и название NMP.2011.1.4-2: Разработка техники выявления и контроля нарушений на нано уровне для подложек больших размеров; NMP.2011.2.2-3: Материалы для твердотельного освещения
Крайний срок подачи заявок 04.11.2010; 28.04.2010 (2-stage procedure indicative)
Краткое описание Вашей организации ВГТУ образован 52 год назад как технический вуз с 7 факультетами, готовящий специалистов для разных областей промышленности (авиационной, радиотехнической, машиностроительной и т. д.) и имеющий тесные связи с предприятиями и НИИ. Кафедра ППЭ и НЭ физико-технического факультета существует 47 лет и готовит инженерные кадры для микроэлектронной промышленности, реализуя в производственных условиях собственные научные разработки в области проектирования и изготовления интегральных схем и фотоакустических полупроводниковых приборов. Творческий коллектив, состоящий из 3 докторов наук, 7 кандидатов наук, 8 инженеров, аспирантов и магистров, за 20 лет работы в области полупроводниковой электроники имеет 6 Патентов РФ на конструкцию, микроэлектронную технологию изготовления сенсорных структур полупроводниковых датчиков оптического излучения. Опубликовано более 100 статей в научных журналах и трудах Международных конференций. Разработаны и испытаны опытные образцы фотоэлектрических приемников и источников оптического излучения для инфракрасного видимого и ультрафиолетового диапазонов
Краткое описание предложения о партнерстве Авторы проекта предполагают использовать имеющийся опыт для исследования физических свойств полупроводниковых материалов и структур, предназначенных для производства микроэлектронных чипов для современной электроники. Коллектив располагает современными методами анализа атомного состава, структуры, морфологии, акустических, электрофизических, оптических, магнитных, диэлектрических свойств кристаллов и аморфных твердых тел. Коллектив имеет доступ к микроэлектронной технологии изготовления интегрированных структур.
Ключевые слова Структура полупроводниковых кристаллов; Микро и нано дефекты подложек; Оптические свойства полупроводников; Барьерные структуры; Технология производства микрочипов
Публикации по теме
  • Mitrokhin V. I., Rembeza S.I., Sviridov V.V., Yaroslavtsev N.P. Acoustooptical Effect In GaAs with Deep Centers //Journal of Advanced Materials. – 2001. – № 2. – P. 98-103
  • Mitrokhin V. I., Rembeza S.I., Sviridov V.V., Yaroslavtsev N.P. Effect of Optical Radiation on Internal Friction in Piezoelectric Semiconductors with Deep Level Centers // Semiconductors. – Vol 36, – № 2. – 2002, – P. 130-135.
  • Митрохин В.И., Рембеза С. И. Ярославцев Н. П. Способ контроля дозы ионного легирования. Патент № 2204872, Россия, МПК Н01 L 21/66. Приоритет 04.10.2003.
  • Белоногов Е.К., Даринский Б.М., Ильин А.С., Митрохин В.И., Мошников В.А. Внутреннее трение в пленках на основе Si3N4 и CuSe // Известия РАН, сер. Физич. – 2005. – Т. 69 –№ 8. – С. 1168-1170.
  • Митрохин В.И., Рембеза С.И., Стукалов В.В. Помехоустойчивая передача дискретных сигналов от датчиков физических величин // Датчики и системы – 2005 – № 6. С. – 61-65.
  • Mitrokhin V. I., Rembeza S.I., Rudenko A.A. Ligh-Induced Mechanical Oscillation in CaAs Single Crystals // Technical Physics Letters, 2006.– vol. 32, No. 6, – pp. 479-480.
  • V.I.Mitrokhin, S.I.Rembeza, E.S.Rembeza, A.A.Rudenko «Inelastic relaxation in tin dioxide thin films”. - Solid State Phenomena. – V.115. – P. 275-278. – 2006.
  • Митрохин В.И., Рембеза С.И., Руденко А.А. Фотопьезоэффект в высокоомных монокристаллах арсенида галлия // Перспективные материалы. – 2006. – № 6. – С. 67-71.
  • Митрохин В.И., НиколаевО.В., Рембеза С.И., Кузеванов А.Л. Фоточувствительный фильтр на поверхностных акустических волнах Патент № 7393456 МПК H01 H 7/00 Приоритет 31.07.2008.
Описание предыдущего
и настоящего опыта участия
Вашей команды в европейских
или международных конкурсах/программах
2008-2009 совместный Российско-Китайский проект РФФИ-ГФЕН грант 07-02-92102 «Синтез и влияние структуры поверхности на газочувствительные свойства тонкопленочных нанокомпозитов на основе SnO2»
Есть ли у вас опыт участия
в проектах Рамочных программ ЕС?
Нет