RIC
Региональный информационный центр
научно-технологического сотрудничества с ЕС
 

Анкета научной организации

Институт физики микроструктур Российской Академии Наук 
Тип организации  
Страна РФ 
Регион
Город Нижний Новгород 
Координатор менеджер по международным связям,  Краев Алексей -
Адрес РФ, -, 603950 Нижний Новгород ГСП-105
Телефон +7-831-4385536 
Факс +7-831-4385553 
Email
web-страница http://www.ipm.sci-nnov.ru/
Краткое описание Department consists of about 20 scientists and technologists fully engaged in R&D activity in the field of semiconductor physics. The group has closely tied internal structure and possesses a wide range of analytical equipment (including that provided by Center of Collective Access at IPM RAS). This enables both academic (experimental and theory) and device-oriented studies on the “designed-made-measured” basis. As materials, III-V, metals and large molecules, as well as heterostructures based on them, are mainly dealt with. As phenomena, optical, electro-optical and photonic properties of these materials are under consideration, as well as MEMS. Long-term experience in various characterization techniques determines high yield of comprehensive information on samples fabricated within the IPM RAS or supplied by other labs. The group is open for collaboration with industrial bodies and academia. 
Предложения вуза по участию в совместных с европейскими университетами исследованиях в рамках тематических приоритетов Седьмой рамочной программы научно-технологического развития ЕС
Сотрудничество Информационные и коммуникационные технологии ICT для мобильности, охраны окружающей среды и энергетики

ICT-2007.3.1: Next-Generation Nanoelectronics Components and Electronics Integration
ICT-2007.3.2: Organic and large-area electronics, visualisation and display systems
ICT-2007.3.5: Photonic components and subsystems
ICT-2007.3.6: Micro/nanosystems
ICT-2007.8.1: FET proactive 1: Nano-scale ICT devices and systems
ICT-2007.8.0: FET Open scheme
Краткое описание проекта  -
Ожидаемые результаты  -
Ключевые слова  МОГФЭ III-V гетероструктуры диагностика гибридные устройства
Список публикаций  
  • Фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками при комнатной температуре в диапазоне 1-2.6 m // Письма в ЖТФ, т.34, в.1, с.3-9 (2008) М.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, Л.Д. Молдавская, В.И. Шашкин
  • Сэндвич-структура InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприёмников // ФТП, т.42, в.1, с.101-105 (2008) Л.Д. Молдавская, Н.В. Востоков, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, В.И. Шашкин
  • Дробовый шум диодов Шоттки с пониженной высотой барьера // Радиотехника и электроника, т.53, №2, с.250-254 (2008) Н.В. Алкеев, С.В. Аверин, А.А. Дорофеев, В. И. Шашкин
  • Фотолюминесценция с длиной волны до 1.6 мкм в квантовых точках с увеличенной эффективной толщиной слоя InAs // ФТП, т.42, в.3, с.303-310 (2008) М.Н. Дроздов, Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, Л.Д. Молдавская, А.В. Мурель, В.И. Шашкин
  • Вольт-амперная характеристика контакта металл-полупроводник с барьером Мотта // ФТТ, т.50, в.3, с.519-522 (2008) В.И. Шашкин, А.В. Мурель
  • Диагностика низкобарьерных диодов Шоттки с приповерхностным -легированием // ФТП, т.42, в.4, с.500-502 (2008) В.И. Шашкин, А.В. Мурель
  • Адмитанс и нелинейная емкость многослойной структуры металл-полупроводник // ФТП, т.42, в.7, с.799-803 (2008) Н.В. Востоков, В.И. Шашкин
  • Оптический мониторинг параметров технологических процессов в условиях металлорганической газофазной эпитаксии // Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, №8, с.1-6 (2008) П.В. Волков, А.В. Горюнов, В.М. Данильцев, А.Ю. Лукьянов, Д.А. Пряхин, А.Д. Тертышник, О И. Хрыкин, В.И. Шашкин
  • Добротность LC-контуров мегагерцового диапазона на основе тонких пленок высокотемпературного сверхпроводника Y-Ba-Cu-O // ЖТФ, 2008, том 78, выпуск 5, стр. 99-102 Д.В.Мастеров, С.А.Павлов, А.Е.Парафин
  • Влияние циклических отжигов на статические и высокочастотные характеристики структур на основе пленок Y-Ba-Cu-O // Письма ЖТФ, 2008, том 34, выпуск 9, стр. 49-54 Д.В.Мастеров, С.А.Павлов, А.Е.Парафин
  • G. L. Pakhomov “Magnetron sputtered vs. thermally evaporated gold contacts in phthalocyanine-based thin film devices” Microelectronics Journal, V. 38, In Press, Corrected Proof, Available online 22 May 2008
  • G. L. Pakhomov, E. S. Leonov, A. Yu. Klimov “Rectification and NIR photoresponse in p-Si/phthalocyanine/metal heterostructures” Microelectronics Journal, Volume 38, Iss. 6-7 (2007) 682-685
  • G. L. Pakhomov, D. A. Kosterin, L. G. Pakhom, T.-F. Guo “Doping of phthalocyanine films: structural reorganization vs. acceptor effect” Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Vol. 19, No. 6 (2008) 500-504
Дата последнего изменения проекта  04.07.2008
Фамилия, имя, отчество руководителя проекта  Шашкин Владимир Иванович
Занимая должность в организации  зав. отделом
Ученая степень, звание  к.ф.-м.н., в.н.с.
Подразделение/отдел, кафедра  отдел технологии наноструктур и приборов (отдел 140)
Адрес  РФ, -, 603950 Нижний Новгород ГСП-105
Сайт   http://www.ipm.sci-nnov.ru
E-mail  
Телефон  +7-831-4385536
Телефакс  +7-831-4385553
Cтраны партнеров по проекту  Все
Типы проекта
  • Совместный исследовательский проект
 
Проникающие и надежные инфраструктурные сети и службы

ICT-2007.3.1: Next-Generation Nanoelectronics Components and Electronics Integration
ICT-2007.3.2: Organic and large-area electronics, visualisation and display systems
ICT-2007.3.5: Photonic components and subsystems
ICT-2007.3.6: Micro/nanosystems
ICT-2007.8.1: FET proactive 1: Nano-scale ICT devices and systems
ICT-2007.8.0: FET Open scheme
Краткое описание проекта  -
Ожидаемые результаты  -
Ключевые слова  МОГФЭ III-V гетероструктуры диагностика гибридные устройства
Список публикаций  
  • Фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками при комнатной температуре в диапазоне 1-2.6 m // Письма в ЖТФ, т.34, в.1, с.3-9 (2008) М.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, Л.Д. Молдавская, В.И. Шашкин
  • Сэндвич-структура InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприёмников // ФТП, т.42, в.1, с.101-105 (2008) Л.Д. Молдавская, Н.В. Востоков, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, В.И. Шашкин
  • Дробовый шум диодов Шоттки с пониженной высотой барьера // Радиотехника и электроника, т.53, №2, с.250-254 (2008) Н.В. Алкеев, С.В. Аверин, А.А. Дорофеев, В. И. Шашкин
  • Фотолюминесценция с длиной волны до 1.6 мкм в квантовых точках с увеличенной эффективной толщиной слоя InAs // ФТП, т.42, в.3, с.303-310 (2008) М.Н. Дроздов, Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, Л.Д. Молдавская, А.В. Мурель, В.И. Шашкин
  • Вольт-амперная характеристика контакта металл-полупроводник с барьером Мотта // ФТТ, т.50, в.3, с.519-522 (2008) В.И. Шашкин, А.В. Мурель
  • Диагностика низкобарьерных диодов Шоттки с приповерхностным -легированием // ФТП, т.42, в.4, с.500-502 (2008) В.И. Шашкин, А.В. Мурель
  • Адмитанс и нелинейная емкость многослойной структуры металл-полупроводник // ФТП, т.42, в.7, с.799-803 (2008) Н.В. Востоков, В.И. Шашкин
  • Оптический мониторинг параметров технологических процессов в условиях металлорганической газофазной эпитаксии // Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, №8, с.1-6 (2008) П.В. Волков, А.В. Горюнов, В.М. Данильцев, А.Ю. Лукьянов, Д.А. Пряхин, А.Д. Тертышник, О И. Хрыкин, В.И. Шашкин
  • Добротность LC-контуров мегагерцового диапазона на основе тонких пленок высокотемпературного сверхпроводника Y-Ba-Cu-O // ЖТФ, 2008, том 78, выпуск 5, стр. 99-102 Д.В.Мастеров, С.А.Павлов, А.Е.Парафин
  • Влияние циклических отжигов на статические и высокочастотные характеристики структур на основе пленок Y-Ba-Cu-O // Письма ЖТФ, 2008, том 34, выпуск 9, стр. 49-54 Д.В.Мастеров, С.А.Павлов, А.Е.Парафин
  • G. L. Pakhomov “Magnetron sputtered vs. thermally evaporated gold contacts in phthalocyanine-based thin film devices” Microelectronics Journal, V. 38, In Press, Corrected Proof, Available online 22 May 2008
  • G. L. Pakhomov, E. S. Leonov, A. Yu. Klimov “Rectification and NIR photoresponse in p-Si/phthalocyanine/metal heterostructures” Microelectronics Journal, Volume 38, Iss. 6-7 (2007) 682-685
  • G. L. Pakhomov, D. A. Kosterin, L. G. Pakhom, T.-F. Guo “Doping of phthalocyanine films: structural reorganization vs. acceptor effect” Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Vol. 19, No. 6 (2008) 500-504
Дата последнего изменения проекта  04.07.2008
Фамилия, имя, отчество руководителя проекта  Шашкин Владимир Иванович
Занимая должность в организации  зав. отделом
Ученая степень, звание  к.ф.-м.н., в.н.с.
Подразделение/отдел, кафедра  отдел технологии наноструктур и приборов (отдел 140)
Адрес  РФ, -, 603950 Нижний Новгород ГСП-105
Сайт   http://www.ipm.sci-nnov.ru
E-mail  
Телефон  +7-831-4385536
Телефакс  +7-831-4385553
Cтраны партнеров по проекту  Все
Типы проекта
  • Совместный исследовательский проект
 
Когнитивные системы, взаимодействие, робототехника

ICT-2007.3.1: Next-Generation Nanoelectronics Components and Electronics Integration
ICT-2007.3.2: Organic and large-area electronics, visualisation and display systems
ICT-2007.3.5: Photonic components and subsystems
ICT-2007.3.6: Micro/nanosystems
ICT-2007.8.1: FET proactive 1: Nano-scale ICT devices and systems
ICT-2007.8.0: FET Open scheme
Краткое описание проекта  -
Ожидаемые результаты  -
Ключевые слова  МОГФЭ III-V гетероструктуры диагностика гибридные устройства
Список публикаций  
  • Фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками при комнатной температуре в диапазоне 1-2.6 m // Письма в ЖТФ, т.34, в.1, с.3-9 (2008) М.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, Л.Д. Молдавская, В.И. Шашкин
  • Сэндвич-структура InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприёмников // ФТП, т.42, в.1, с.101-105 (2008) Л.Д. Молдавская, Н.В. Востоков, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, В.И. Шашкин
  • Дробовый шум диодов Шоттки с пониженной высотой барьера // Радиотехника и электроника, т.53, №2, с.250-254 (2008) Н.В. Алкеев, С.В. Аверин, А.А. Дорофеев, В. И. Шашкин
  • Фотолюминесценция с длиной волны до 1.6 мкм в квантовых точках с увеличенной эффективной толщиной слоя InAs // ФТП, т.42, в.3, с.303-310 (2008) М.Н. Дроздов, Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, Л.Д. Молдавская, А.В. Мурель, В.И. Шашкин
  • Вольт-амперная характеристика контакта металл-полупроводник с барьером Мотта // ФТТ, т.50, в.3, с.519-522 (2008) В.И. Шашкин, А.В. Мурель
  • Диагностика низкобарьерных диодов Шоттки с приповерхностным -легированием // ФТП, т.42, в.4, с.500-502 (2008) В.И. Шашкин, А.В. Мурель
  • Адмитанс и нелинейная емкость многослойной структуры металл-полупроводник // ФТП, т.42, в.7, с.799-803 (2008) Н.В. Востоков, В.И. Шашкин
  • Оптический мониторинг параметров технологических процессов в условиях металлорганической газофазной эпитаксии // Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, №8, с.1-6 (2008) П.В. Волков, А.В. Горюнов, В.М. Данильцев, А.Ю. Лукьянов, Д.А. Пряхин, А.Д. Тертышник, О И. Хрыкин, В.И. Шашкин
  • Добротность LC-контуров мегагерцового диапазона на основе тонких пленок высокотемпературного сверхпроводника Y-Ba-Cu-O // ЖТФ, 2008, том 78, выпуск 5, стр. 99-102 Д.В.Мастеров, С.А.Павлов, А.Е.Парафин
  • Влияние циклических отжигов на статические и высокочастотные характеристики структур на основе пленок Y-Ba-Cu-O // Письма ЖТФ, 2008, том 34, выпуск 9, стр. 49-54 Д.В.Мастеров, С.А.Павлов, А.Е.Парафин
  • G. L. Pakhomov “Magnetron sputtered vs. thermally evaporated gold contacts in phthalocyanine-based thin film devices” Microelectronics Journal, V. 38, In Press, Corrected Proof, Available online 22 May 2008
  • G. L. Pakhomov, E. S. Leonov, A. Yu. Klimov “Rectification and NIR photoresponse in p-Si/phthalocyanine/metal heterostructures” Microelectronics Journal, Volume 38, Iss. 6-7 (2007) 682-685
  • G. L. Pakhomov, D. A. Kosterin, L. G. Pakhom, T.-F. Guo “Doping of phthalocyanine films: structural reorganization vs. acceptor effect” Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Vol. 19, No. 6 (2008) 500-504
Дата последнего изменения проекта  04.07.2008
Фамилия, имя, отчество руководителя проекта  Шашкин Владимир Иванович
Занимая должность в организации  зав. отделом
Ученая степень, звание  к.ф.-м.н., в.н.с.
Подразделение/отдел, кафедра  отдел технологии наноструктур и приборов (отдел 140)
Адрес  РФ, -, 603950 Нижний Новгород ГСП-105
Сайт   http://www.ipm.sci-nnov.ru
E-mail  
Телефон  +7-831-4385536
Телефакс  +7-831-4385553
Cтраны партнеров по проекту  Все
Типы проекта
  • Совместный исследовательский проект
 
Элементная база, системы, разработка

ICT-2007.3.1: Next-Generation Nanoelectronics Components and Electronics Integration
ICT-2007.3.2: Organic and large-area electronics, visualisation and display systems
ICT-2007.3.5: Photonic components and subsystems
ICT-2007.3.6: Micro/nanosystems
ICT-2007.8.1: FET proactive 1: Nano-scale ICT devices and systems
ICT-2007.8.0: FET Open scheme
Краткое описание проекта  -
Ожидаемые результаты  -
Ключевые слова  МОГФЭ III-V гетероструктуры диагностика гибридные устройства
Список публикаций  
  • Фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками при комнатной температуре в диапазоне 1-2.6 m // Письма в ЖТФ, т.34, в.1, с.3-9 (2008) М.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, Л.Д. Молдавская, В.И. Шашкин
  • Сэндвич-структура InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприёмников // ФТП, т.42, в.1, с.101-105 (2008) Л.Д. Молдавская, Н.В. Востоков, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, В.И. Шашкин
  • Дробовый шум диодов Шоттки с пониженной высотой барьера // Радиотехника и электроника, т.53, №2, с.250-254 (2008) Н.В. Алкеев, С.В. Аверин, А.А. Дорофеев, В. И. Шашкин
  • Фотолюминесценция с длиной волны до 1.6 мкм в квантовых точках с увеличенной эффективной толщиной слоя InAs // ФТП, т.42, в.3, с.303-310 (2008) М.Н. Дроздов, Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, Л.Д. Молдавская, А.В. Мурель, В.И. Шашкин
  • Вольт-амперная характеристика контакта металл-полупроводник с барьером Мотта // ФТТ, т.50, в.3, с.519-522 (2008) В.И. Шашкин, А.В. Мурель
  • Диагностика низкобарьерных диодов Шоттки с приповерхностным -легированием // ФТП, т.42, в.4, с.500-502 (2008) В.И. Шашкин, А.В. Мурель
  • Адмитанс и нелинейная емкость многослойной структуры металл-полупроводник // ФТП, т.42, в.7, с.799-803 (2008) Н.В. Востоков, В.И. Шашкин
  • Оптический мониторинг параметров технологических процессов в условиях металлорганической газофазной эпитаксии // Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, №8, с.1-6 (2008) П.В. Волков, А.В. Горюнов, В.М. Данильцев, А.Ю. Лукьянов, Д.А. Пряхин, А.Д. Тертышник, О И. Хрыкин, В.И. Шашкин
  • Добротность LC-контуров мегагерцового диапазона на основе тонких пленок высокотемпературного сверхпроводника Y-Ba-Cu-O // ЖТФ, 2008, том 78, выпуск 5, стр. 99-102 Д.В.Мастеров, С.А.Павлов, А.Е.Парафин
  • Влияние циклических отжигов на статические и высокочастотные характеристики структур на основе пленок Y-Ba-Cu-O // Письма ЖТФ, 2008, том 34, выпуск 9, стр. 49-54 Д.В.Мастеров, С.А.Павлов, А.Е.Парафин
  • G. L. Pakhomov “Magnetron sputtered vs. thermally evaporated gold contacts in phthalocyanine-based thin film devices” Microelectronics Journal, V. 38, In Press, Corrected Proof, Available online 22 May 2008
  • G. L. Pakhomov, E. S. Leonov, A. Yu. Klimov “Rectification and NIR photoresponse in p-Si/phthalocyanine/metal heterostructures” Microelectronics Journal, Volume 38, Iss. 6-7 (2007) 682-685
  • G. L. Pakhomov, D. A. Kosterin, L. G. Pakhom, T.-F. Guo “Doping of phthalocyanine films: structural reorganization vs. acceptor effect” Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Vol. 19, No. 6 (2008) 500-504
Дата последнего изменения проекта  04.07.2008
Фамилия, имя, отчество руководителя проекта  Шашкин Владимир Иванович
Занимая должность в организации  зав. отделом
Ученая степень, звание  к.ф.-м.н., в.н.с.
Подразделение/отдел, кафедра  отдел технологии наноструктур и приборов (отдел 140)
Адрес  РФ, -, 603950 Нижний Новгород ГСП-105
Сайт   http://www.ipm.sci-nnov.ru
E-mail  
Телефон  +7-831-4385536
Телефакс  +7-831-4385553
Cтраны партнеров по проекту  Все
Типы проекта
  • Совместный исследовательский проект
 
Цифровые библиотеки и наполнение

ICT-2007.3.1: Next-Generation Nanoelectronics Components and Electronics Integration
ICT-2007.3.2: Organic and large-area electronics, visualisation and display systems
ICT-2007.3.5: Photonic components and subsystems
ICT-2007.3.6: Micro/nanosystems
ICT-2007.8.1: FET proactive 1: Nano-scale ICT devices and systems
ICT-2007.8.0: FET Open scheme
Краткое описание проекта  -
Ожидаемые результаты  -
Ключевые слова  МОГФЭ III-V гетероструктуры диагностика гибридные устройства
Список публикаций  
  • Фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками при комнатной температуре в диапазоне 1-2.6 m // Письма в ЖТФ, т.34, в.1, с.3-9 (2008) М.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, Л.Д. Молдавская, В.И. Шашкин
  • Сэндвич-структура InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприёмников // ФТП, т.42, в.1, с.101-105 (2008) Л.Д. Молдавская, Н.В. Востоков, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, В.И. Шашкин
  • Дробовый шум диодов Шоттки с пониженной высотой барьера // Радиотехника и электроника, т.53, №2, с.250-254 (2008) Н.В. Алкеев, С.В. Аверин, А.А. Дорофеев, В. И. Шашкин
  • Фотолюминесценция с длиной волны до 1.6 мкм в квантовых точках с увеличенной эффективной толщиной слоя InAs // ФТП, т.42, в.3, с.303-310 (2008) М.Н. Дроздов, Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, Л.Д. Молдавская, А.В. Мурель, В.И. Шашкин
  • Вольт-амперная характеристика контакта металл-полупроводник с барьером Мотта // ФТТ, т.50, в.3, с.519-522 (2008) В.И. Шашкин, А.В. Мурель
  • Диагностика низкобарьерных диодов Шоттки с приповерхностным -легированием // ФТП, т.42, в.4, с.500-502 (2008) В.И. Шашкин, А.В. Мурель
  • Адмитанс и нелинейная емкость многослойной структуры металл-полупроводник // ФТП, т.42, в.7, с.799-803 (2008) Н.В. Востоков, В.И. Шашкин
  • Оптический мониторинг параметров технологических процессов в условиях металлорганической газофазной эпитаксии // Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, №8, с.1-6 (2008) П.В. Волков, А.В. Горюнов, В.М. Данильцев, А.Ю. Лукьянов, Д.А. Пряхин, А.Д. Тертышник, О И. Хрыкин, В.И. Шашкин
  • Добротность LC-контуров мегагерцового диапазона на основе тонких пленок высокотемпературного сверхпроводника Y-Ba-Cu-O // ЖТФ, 2008, том 78, выпуск 5, стр. 99-102 Д.В.Мастеров, С.А.Павлов, А.Е.Парафин
  • Влияние циклических отжигов на статические и высокочастотные характеристики структур на основе пленок Y-Ba-Cu-O // Письма ЖТФ, 2008, том 34, выпуск 9, стр. 49-54 Д.В.Мастеров, С.А.Павлов, А.Е.Парафин
  • G. L. Pakhomov “Magnetron sputtered vs. thermally evaporated gold contacts in phthalocyanine-based thin film devices” Microelectronics Journal, V. 38, In Press, Corrected Proof, Available online 22 May 2008
  • G. L. Pakhomov, E. S. Leonov, A. Yu. Klimov “Rectification and NIR photoresponse in p-Si/phthalocyanine/metal heterostructures” Microelectronics Journal, Volume 38, Iss. 6-7 (2007) 682-685
  • G. L. Pakhomov, D. A. Kosterin, L. G. Pakhom, T.-F. Guo “Doping of phthalocyanine films: structural reorganization vs. acceptor effect” Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Vol. 19, No. 6 (2008) 500-504
Дата последнего изменения проекта  04.07.2008
Фамилия, имя, отчество руководителя проекта  Шашкин Владимир Иванович
Занимая должность в организации  зав. отделом
Ученая степень, звание  к.ф.-м.н., в.н.с.
Подразделение/отдел, кафедра  отдел технологии наноструктур и приборов (отдел 140)
Адрес  РФ, -, 603950 Нижний Новгород ГСП-105
Сайт   http://www.ipm.sci-nnov.ru
E-mail  
Телефон  +7-831-4385536
Телефакс  +7-831-4385553
Cтраны партнеров по проекту  Все
Типы проекта
  • Совместный исследовательский проект
 
Стабильное и персонализированное здравоохранение

ICT-2007.3.1: Next-Generation Nanoelectronics Components and Electronics Integration
ICT-2007.3.2: Organic and large-area electronics, visualisation and display systems
ICT-2007.3.5: Photonic components and subsystems
ICT-2007.3.6: Micro/nanosystems
ICT-2007.8.1: FET proactive 1: Nano-scale ICT devices and systems
ICT-2007.8.0: FET Open scheme
Краткое описание проекта  -
Ожидаемые результаты  -
Ключевые слова  МОГФЭ III-V гетероструктуры диагностика гибридные устройства
Список публикаций  
  • Фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками при комнатной температуре в диапазоне 1-2.6 m // Письма в ЖТФ, т.34, в.1, с.3-9 (2008) М.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, Л.Д. Молдавская, В.И. Шашкин
  • Сэндвич-структура InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприёмников // ФТП, т.42, в.1, с.101-105 (2008) Л.Д. Молдавская, Н.В. Востоков, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, В.И. Шашкин
  • Дробовый шум диодов Шоттки с пониженной высотой барьера // Радиотехника и электроника, т.53, №2, с.250-254 (2008) Н.В. Алкеев, С.В. Аверин, А.А. Дорофеев, В. И. Шашкин
  • Фотолюминесценция с длиной волны до 1.6 мкм в квантовых точках с увеличенной эффективной толщиной слоя InAs // ФТП, т.42, в.3, с.303-310 (2008) М.Н. Дроздов, Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, Л.Д. Молдавская, А.В. Мурель, В.И. Шашкин
  • Вольт-амперная характеристика контакта металл-полупроводник с барьером Мотта // ФТТ, т.50, в.3, с.519-522 (2008) В.И. Шашкин, А.В. Мурель
  • Диагностика низкобарьерных диодов Шоттки с приповерхностным -легированием // ФТП, т.42, в.4, с.500-502 (2008) В.И. Шашкин, А.В. Мурель
  • Адмитанс и нелинейная емкость многослойной структуры металл-полупроводник // ФТП, т.42, в.7, с.799-803 (2008) Н.В. Востоков, В.И. Шашкин
  • Оптический мониторинг параметров технологических процессов в условиях металлорганической газофазной эпитаксии // Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, №8, с.1-6 (2008) П.В. Волков, А.В. Горюнов, В.М. Данильцев, А.Ю. Лукьянов, Д.А. Пряхин, А.Д. Тертышник, О И. Хрыкин, В.И. Шашкин
  • Добротность LC-контуров мегагерцового диапазона на основе тонких пленок высокотемпературного сверхпроводника Y-Ba-Cu-O // ЖТФ, 2008, том 78, выпуск 5, стр. 99-102 Д.В.Мастеров, С.А.Павлов, А.Е.Парафин
  • Влияние циклических отжигов на статические и высокочастотные характеристики структур на основе пленок Y-Ba-Cu-O // Письма ЖТФ, 2008, том 34, выпуск 9, стр. 49-54 Д.В.Мастеров, С.А.Павлов, А.Е.Парафин
  • G. L. Pakhomov “Magnetron sputtered vs. thermally evaporated gold contacts in phthalocyanine-based thin film devices” Microelectronics Journal, V. 38, In Press, Corrected Proof, Available online 22 May 2008
  • G. L. Pakhomov, E. S. Leonov, A. Yu. Klimov “Rectification and NIR photoresponse in p-Si/phthalocyanine/metal heterostructures” Microelectronics Journal, Volume 38, Iss. 6-7 (2007) 682-685
  • G. L. Pakhomov, D. A. Kosterin, L. G. Pakhom, T.-F. Guo “Doping of phthalocyanine films: structural reorganization vs. acceptor effect” Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Vol. 19, No. 6 (2008) 500-504
Дата последнего изменения проекта  04.07.2008
Фамилия, имя, отчество руководителя проекта  Шашкин Владимир Иванович
Занимая должность в организации  зав. отделом
Ученая степень, звание  к.ф.-м.н., в.н.с.
Подразделение/отдел, кафедра  отдел технологии наноструктур и приборов (отдел 140)
Адрес  РФ, -, 603950 Нижний Новгород ГСП-105
Сайт   http://www.ipm.sci-nnov.ru
E-mail  
Телефон  +7-831-4385536
Телефакс  +7-831-4385553
Cтраны партнеров по проекту  Все
Типы проекта
  • Совместный исследовательский проект
 
ICT для автономной жизни и людей с ограниченными двигательными функциями

ICT-2007.3.1: Next-Generation Nanoelectronics Components and Electronics Integration
ICT-2007.3.2: Organic and large-area electronics, visualisation and display systems
ICT-2007.3.5: Photonic components and subsystems
ICT-2007.3.6: Micro/nanosystems
ICT-2007.8.1: FET proactive 1: Nano-scale ICT devices and systems
ICT-2007.8.0: FET Open scheme
Краткое описание проекта  -
Ожидаемые результаты  -
Ключевые слова  МОГФЭ III-V гетероструктуры диагностика гибридные устройства
Список публикаций  
  • Фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками при комнатной температуре в диапазоне 1-2.6 m // Письма в ЖТФ, т.34, в.1, с.3-9 (2008) М.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, Л.Д. Молдавская, В.И. Шашкин
  • Сэндвич-структура InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприёмников // ФТП, т.42, в.1, с.101-105 (2008) Л.Д. Молдавская, Н.В. Востоков, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, В.И. Шашкин
  • Дробовый шум диодов Шоттки с пониженной высотой барьера // Радиотехника и электроника, т.53, №2, с.250-254 (2008) Н.В. Алкеев, С.В. Аверин, А.А. Дорофеев, В. И. Шашкин
  • Фотолюминесценция с длиной волны до 1.6 мкм в квантовых точках с увеличенной эффективной толщиной слоя InAs // ФТП, т.42, в.3, с.303-310 (2008) М.Н. Дроздов, Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, Л.Д. Молдавская, А.В. Мурель, В.И. Шашкин
  • Вольт-амперная характеристика контакта металл-полупроводник с барьером Мотта // ФТТ, т.50, в.3, с.519-522 (2008) В.И. Шашкин, А.В. Мурель
  • Диагностика низкобарьерных диодов Шоттки с приповерхностным -легированием // ФТП, т.42, в.4, с.500-502 (2008) В.И. Шашкин, А.В. Мурель
  • Адмитанс и нелинейная емкость многослойной структуры металл-полупроводник // ФТП, т.42, в.7, с.799-803 (2008) Н.В. Востоков, В.И. Шашкин
  • Оптический мониторинг параметров технологических процессов в условиях металлорганической газофазной эпитаксии // Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, №8, с.1-6 (2008) П.В. Волков, А.В. Горюнов, В.М. Данильцев, А.Ю. Лукьянов, Д.А. Пряхин, А.Д. Тертышник, О И. Хрыкин, В.И. Шашкин
  • Добротность LC-контуров мегагерцового диапазона на основе тонких пленок высокотемпературного сверхпроводника Y-Ba-Cu-O // ЖТФ, 2008, том 78, выпуск 5, стр. 99-102 Д.В.Мастеров, С.А.Павлов, А.Е.Парафин
  • Влияние циклических отжигов на статические и высокочастотные характеристики структур на основе пленок Y-Ba-Cu-O // Письма ЖТФ, 2008, том 34, выпуск 9, стр. 49-54 Д.В.Мастеров, С.А.Павлов, А.Е.Парафин
  • G. L. Pakhomov “Magnetron sputtered vs. thermally evaporated gold contacts in phthalocyanine-based thin film devices” Microelectronics Journal, V. 38, In Press, Corrected Proof, Available online 22 May 2008
  • G. L. Pakhomov, E. S. Leonov, A. Yu. Klimov “Rectification and NIR photoresponse in p-Si/phthalocyanine/metal heterostructures” Microelectronics Journal, Volume 38, Iss. 6-7 (2007) 682-685
  • G. L. Pakhomov, D. A. Kosterin, L. G. Pakhom, T.-F. Guo “Doping of phthalocyanine films: structural reorganization vs. acceptor effect” Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Vol. 19, No. 6 (2008) 500-504
Дата последнего изменения проекта  04.07.2008
Фамилия, имя, отчество руководителя проекта  Шашкин Владимир Иванович
Занимая должность в организации  зав. отделом
Ученая степень, звание  к.ф.-м.н., в.н.с.
Подразделение/отдел, кафедра  отдел технологии наноструктур и приборов (отдел 140)
Адрес  РФ, -, 603950 Нижний Новгород ГСП-105
Сайт   http://www.ipm.sci-nnov.ru
E-mail  
Телефон  +7-831-4385536
Телефакс  +7-831-4385553
Cтраны партнеров по проекту  Все
Типы проекта
  • Совместный исследовательский проект
 
Будущие и новые технологии

ICT-2007.3.1: Next-Generation Nanoelectronics Components and Electronics Integration
ICT-2007.3.2: Organic and large-area electronics, visualisation and display systems
ICT-2007.3.5: Photonic components and subsystems
ICT-2007.3.6: Micro/nanosystems
ICT-2007.8.1: FET proactive 1: Nano-scale ICT devices and systems
ICT-2007.8.0: FET Open scheme
Краткое описание проекта  -
Ожидаемые результаты  -
Ключевые слова  МОГФЭ III-V гетероструктуры диагностика гибридные устройства
Список публикаций  
  • Фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками при комнатной температуре в диапазоне 1-2.6 m // Письма в ЖТФ, т.34, в.1, с.3-9 (2008) М.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, Л.Д. Молдавская, В.И. Шашкин
  • Сэндвич-структура InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприёмников // ФТП, т.42, в.1, с.101-105 (2008) Л.Д. Молдавская, Н.В. Востоков, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, В.И. Шашкин
  • Дробовый шум диодов Шоттки с пониженной высотой барьера // Радиотехника и электроника, т.53, №2, с.250-254 (2008) Н.В. Алкеев, С.В. Аверин, А.А. Дорофеев, В. И. Шашкин
  • Фотолюминесценция с длиной волны до 1.6 мкм в квантовых точках с увеличенной эффективной толщиной слоя InAs // ФТП, т.42, в.3, с.303-310 (2008) М.Н. Дроздов, Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, Л.Д. Молдавская, А.В. Мурель, В.И. Шашкин
  • Вольт-амперная характеристика контакта металл-полупроводник с барьером Мотта // ФТТ, т.50, в.3, с.519-522 (2008) В.И. Шашкин, А.В. Мурель
  • Диагностика низкобарьерных диодов Шоттки с приповерхностным -легированием // ФТП, т.42, в.4, с.500-502 (2008) В.И. Шашкин, А.В. Мурель
  • Адмитанс и нелинейная емкость многослойной структуры металл-полупроводник // ФТП, т.42, в.7, с.799-803 (2008) Н.В. Востоков, В.И. Шашкин
  • Оптический мониторинг параметров технологических процессов в условиях металлорганической газофазной эпитаксии // Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, №8, с.1-6 (2008) П.В. Волков, А.В. Горюнов, В.М. Данильцев, А.Ю. Лукьянов, Д.А. Пряхин, А.Д. Тертышник, О И. Хрыкин, В.И. Шашкин
  • Добротность LC-контуров мегагерцового диапазона на основе тонких пленок высокотемпературного сверхпроводника Y-Ba-Cu-O // ЖТФ, 2008, том 78, выпуск 5, стр. 99-102 Д.В.Мастеров, С.А.Павлов, А.Е.Парафин
  • Влияние циклических отжигов на статические и высокочастотные характеристики структур на основе пленок Y-Ba-Cu-O // Письма ЖТФ, 2008, том 34, выпуск 9, стр. 49-54 Д.В.Мастеров, С.А.Павлов, А.Е.Парафин
  • G. L. Pakhomov “Magnetron sputtered vs. thermally evaporated gold contacts in phthalocyanine-based thin film devices” Microelectronics Journal, V. 38, In Press, Corrected Proof, Available online 22 May 2008
  • G. L. Pakhomov, E. S. Leonov, A. Yu. Klimov “Rectification and NIR photoresponse in p-Si/phthalocyanine/metal heterostructures” Microelectronics Journal, Volume 38, Iss. 6-7 (2007) 682-685
  • G. L. Pakhomov, D. A. Kosterin, L. G. Pakhom, T.-F. Guo “Doping of phthalocyanine films: structural reorganization vs. acceptor effect” Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Vol. 19, No. 6 (2008) 500-504
Дата последнего изменения проекта  04.07.2008
Фамилия, имя, отчество руководителя проекта  Шашкин Владимир Иванович
Занимая должность в организации  зав. отделом
Ученая степень, звание  к.ф.-м.н., в.н.с.
Подразделение/отдел, кафедра  отдел технологии наноструктур и приборов (отдел 140)
Адрес  РФ, -, 603950 Нижний Новгород ГСП-105
Сайт   http://www.ipm.sci-nnov.ru
E-mail  
Телефон  +7-831-4385536
Телефакс  +7-831-4385553
Cтраны партнеров по проекту  Все
Типы проекта
  • Совместный исследовательский проект
 
Горизонтальные мероприятия по поддержке

ICT-2007.3.1: Next-Generation Nanoelectronics Components and Electronics Integration
ICT-2007.3.2: Organic and large-area electronics, visualisation and display systems
ICT-2007.3.5: Photonic components and subsystems
ICT-2007.3.6: Micro/nanosystems
ICT-2007.8.1: FET proactive 1: Nano-scale ICT devices and systems
ICT-2007.8.0: FET Open scheme
Краткое описание проекта  -
Ожидаемые результаты  -
Ключевые слова  МОГФЭ III-V гетероструктуры диагностика гибридные устройства
Список публикаций  
  • Фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками при комнатной температуре в диапазоне 1-2.6 m // Письма в ЖТФ, т.34, в.1, с.3-9 (2008) М.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, Л.Д. Молдавская, В.И. Шашкин
  • Сэндвич-структура InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприёмников // ФТП, т.42, в.1, с.101-105 (2008) Л.Д. Молдавская, Н.В. Востоков, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, В.И. Шашкин
  • Дробовый шум диодов Шоттки с пониженной высотой барьера // Радиотехника и электроника, т.53, №2, с.250-254 (2008) Н.В. Алкеев, С.В. Аверин, А.А. Дорофеев, В. И. Шашкин
  • Фотолюминесценция с длиной волны до 1.6 мкм в квантовых точках с увеличенной эффективной толщиной слоя InAs // ФТП, т.42, в.3, с.303-310 (2008) М.Н. Дроздов, Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, Л.Д. Молдавская, А.В. Мурель, В.И. Шашкин
  • Вольт-амперная характеристика контакта металл-полупроводник с барьером Мотта // ФТТ, т.50, в.3, с.519-522 (2008) В.И. Шашкин, А.В. Мурель
  • Диагностика низкобарьерных диодов Шоттки с приповерхностным -легированием // ФТП, т.42, в.4, с.500-502 (2008) В.И. Шашкин, А.В. Мурель
  • Адмитанс и нелинейная емкость многослойной структуры металл-полупроводник // ФТП, т.42, в.7, с.799-803 (2008) Н.В. Востоков, В.И. Шашкин
  • Оптический мониторинг параметров технологических процессов в условиях металлорганической газофазной эпитаксии // Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, №8, с.1-6 (2008) П.В. Волков, А.В. Горюнов, В.М. Данильцев, А.Ю. Лукьянов, Д.А. Пряхин, А.Д. Тертышник, О И. Хрыкин, В.И. Шашкин
  • Добротность LC-контуров мегагерцового диапазона на основе тонких пленок высокотемпературного сверхпроводника Y-Ba-Cu-O // ЖТФ, 2008, том 78, выпуск 5, стр. 99-102 Д.В.Мастеров, С.А.Павлов, А.Е.Парафин
  • Влияние циклических отжигов на статические и высокочастотные характеристики структур на основе пленок Y-Ba-Cu-O // Письма ЖТФ, 2008, том 34, выпуск 9, стр. 49-54 Д.В.Мастеров, С.А.Павлов, А.Е.Парафин
  • G. L. Pakhomov “Magnetron sputtered vs. thermally evaporated gold contacts in phthalocyanine-based thin film devices” Microelectronics Journal, V. 38, In Press, Corrected Proof, Available online 22 May 2008
  • G. L. Pakhomov, E. S. Leonov, A. Yu. Klimov “Rectification and NIR photoresponse in p-Si/phthalocyanine/metal heterostructures” Microelectronics Journal, Volume 38, Iss. 6-7 (2007) 682-685
  • G. L. Pakhomov, D. A. Kosterin, L. G. Pakhom, T.-F. Guo “Doping of phthalocyanine films: structural reorganization vs. acceptor effect” Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Vol. 19, No. 6 (2008) 500-504
Дата последнего изменения проекта  04.07.2008
Фамилия, имя, отчество руководителя проекта  Шашкин Владимир Иванович
Занимая должность в организации  зав. отделом
Ученая степень, звание  к.ф.-м.н., в.н.с.
Подразделение/отдел, кафедра  отдел технологии наноструктур и приборов (отдел 140)
Адрес  РФ, -, 603950 Нижний Новгород ГСП-105
Сайт   http://www.ipm.sci-nnov.ru
E-mail  
Телефон  +7-831-4385536
Телефакс  +7-831-4385553
Cтраны партнеров по проекту  Все
Типы проекта
  • Совместный исследовательский проект
 
Основные научные направления организации в рамках тематических приоритетов
Участие в программах ЕС, ИНТАС и других. Поданные и поддержанные проекты